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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FGY75T120SQDN_晶体管-IGBT
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¥74.523981

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¥70.284201

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 300 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.95V 15V,75A

功率 - 最大值: 790 W

开关能量: 6.25mJ(开),1.96mJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 399 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 64ns/332ns

测试条件: 600V,75A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 99 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3 变式

供应商器件封装: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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FGY75T120SQDN_晶体管-IGBT
FGY75T120SQDN
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品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 300 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.95V 15V,75A

功率 - 最大值: 790 W

开关能量: 6.25mJ(开),1.96mJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 399 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 64ns/332ns

测试条件: 600V,75A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 99 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3 变式

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FGY75T120SQDN_晶体管-IGBT
FGY75T120SQDN
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品牌: onsemi

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封装/外壳: *

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零件状态: 在售

IGBT 类型: 场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 300 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.95V 15V,75A

功率 - 最大值: 790 W

开关能量: 6.25mJ(开),1.96mJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 399 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 64ns/332ns

测试条件: 600V,75A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 99 ns

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安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3 变式

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FGY75T120SQDN_晶体管-IGBT
FGY75T120SQDN
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品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

IGBT 类型: 场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 300 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.95V 15V,75A

功率 - 最大值: 790 W

开关能量: 6.25mJ(开),1.96mJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 399 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 64ns/332ns

测试条件: 600V,75A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 99 ns

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安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3 变式

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品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

IGBT 类型: 场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 300 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.95V 15V,75A

功率 - 最大值: 790 W

开关能量: 6.25mJ(开),1.96mJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 399 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 64ns/332ns

测试条件: 600V,75A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 99 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3 变式

供应商器件封装: TO-247-3

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Digi-Key
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货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

IGBT 类型: 场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 300 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.95V 15V,75A

功率 - 最大值: 790 W

开关能量: 6.25mJ(开),1.96mJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 399 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 64ns/332ns

测试条件: 600V,75A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 99 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3 变式

供应商器件封装: TO-247-3

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Mouser
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FGY75T120SQDN
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IGBT 1200V 75A UFS

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货期:7~10 天

封裝: Tube

標準包裝數量: 30

艾睿
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FGY75T120SQDN_未分类
FGY75T120SQDN
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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 790mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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¥90.67717

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货期:7~10 天

暂无参数

FGY75T120SQDN参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: 场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.95V 15V,75A
功率 - 最大值: 790 W
开关能量: 6.25mJ(开),1.96mJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 399 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 64ns/332ns
测试条件: 600V,75A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 99 ns
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3 变式
供应商器件封装: TO-247-3
温度: -55°C # 175°C(TJ)