FGH40T65SHD-F155厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGH40T65SHD-F155 ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 650V 80A 268W TO-247 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥40.046281 +10：￥33.371921 +30：￥26.69744 +90：￥22.247907	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，40A 功率 - 最大值： 268 W 开关能量： 1.01mJ（开），297µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 72.2 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 19.2ns/65.6ns 测试条件： 400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 31.8 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	FGH40T65SHD-F155 ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 650V 80A 268W TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥19.503904 +200：￥7.551592 +500：￥7.28902 +1000：￥7.152482	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，40A 功率 - 最大值： 268 W 开关能量： 1.01mJ（开），297µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 72.2 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 19.2ns/65.6ns 测试条件： 400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 31.8 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	FGH40T65SHD-F155 ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 650V 80A 268W TO-247 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥24.30243 +10：￥21.805605 +100：￥17.86728 +500：￥15.209993 +1000：￥12.827689	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，40A 功率 - 最大值： 268 W 开关能量： 1.01mJ（开），297µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 72.2 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 19.2ns/65.6ns 测试条件： 400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 31.8 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	FGH40T65SHD-F155 ON Semiconductor 授权代理品牌	IGBT, 80A, 650V, N-CHANNEL, TO-2 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥24.30243 +10：￥21.805605 +100：￥17.86728 +500：￥15.209993 +1000：￥12.827689	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，40A 功率 - 最大值： 268 W 开关能量： 1.01mJ（开），297µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 72.2 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 19.2ns/65.6ns 测试条件： 400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 31.8 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGH40T65SHD-F155 ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 650V 80A 268W TO-247 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥59.450183 +10：￥53.342288 +100：￥43.708101 +500：￥37.207671 +1000：￥31.379925	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型：沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，40A 功率 - 最大值： 268 W 开关能量： 1.01mJ（开），297µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 72.2 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 19.2ns/65.6ns 测试条件： 400V，40A，6 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 31.8 ns 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	FGH40T65SHD-F155 ON Semiconductor 授权代理品牌	IGBT, 80A, 650V, N-CHANNEL, TO-2 下载数据手册未分类	+1：￥13.573102	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active IGBT 类型： Trench Field Stop 电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V, 40A 功率 - 最大值： 268 W 开关能量： 1.01mJ (on), 297µJ (off) 输入类型： Standard 栅极电荷： 72.2 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 19.2ns/65.6ns 测试条件： 400V, 40A, 6Ohm, 15V 反向恢复时间 (trr)： 31.8 ns 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-247-3 供应商器件封装： TO-247 Long Leads 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGH40T65SHD-F155 ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 650V 80A 268W TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥69.06849 +10：￥59.793104 +30：￥58.136786 +120：￥47.039451	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： FGH40T65SHD 产品种类： IGBT 晶体管技术： Si 商标： onsemi / Fairchild 产品类型： IGBT Transistors 零件号别名： FGH40T65SHD_F155 单位重量： 6.390 g 温度： ~

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGH40T65SHD-F155 授权代理品牌	Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+450：￥28.897007 +500：￥26.283713 +1000：￥25.115268 +2500：￥24.86399	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FGH40T65SHD-F155参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
IGBT 类型:	沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）:	650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):	120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	2.1V 15V，40A
功率 - 最大值:	268 W
开关能量:	1.01mJ（开），297µJ（关）
输入类型:	标准
栅极电荷:	72.2 nC
25°C 时 Td（开/关）值:	19.2ns/65.6ns
测试条件:	400V，40A，6 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr):	31.8 ns
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-247-3
供应商器件封装:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）