品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

IGBT 类型： NPT

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 20 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 30 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.45V 15V, 10A

功率 - 最大值： 139 W

开关能量： 150µJ (on), 50µJ (off)

输入类型： Standard

栅极电荷： 37 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 8ns/52.2ns

测试条件： 400V, 10A, 10Ohm, 15V

反向恢复时间 (trr)： 37.7 ns

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

IGBT 类型： NPT

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 20 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 30 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.45V 15V, 10A

功率 - 最大值： 139 W

开关能量： 150µJ (on), 50µJ (off)

输入类型： Standard

栅极电荷： 37 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 8ns/52.2ns

测试条件： 400V, 10A, 10Ohm, 15V

反向恢复时间 (trr)： 37.7 ns

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220-3

系列： FGP10N60UNDF

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： Through Hole

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 600 V

集电极—射极饱和电压： 2.3 V

栅极/发射极最大电压： 20 V

在25 C的连续集电极电流： 10 A

Pd-功率耗散： 139 W

商标： onsemi / Fairchild

栅极—射极漏泄电流： +/- 10 uA

产品类型： IGBT Transistors

单位重量： 1.800 g

温度： - 55 C~+ 150 C