品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 28 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 40 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V, 7A

功率 - 最大值： 125 W

开关能量： 25µJ (on), 58µJ (off)

输入类型： Standard

栅极电荷： 30 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 7.7ns/87ns

测试条件： 390V, 7A, 25Ohm, 15V

反向恢复时间 (trr)： 31 ns

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装： D2PAK (TO-263)

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 28 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 40 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，7A

功率 - 最大值： 125 W

开关能量： 25µJ（开），58µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 30 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 7.7ns/87ns

测试条件： 390V，7A，25 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 31 ns

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： D²PAK（TO-263）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 28 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 40 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，7A

功率 - 最大值： 125 W

开关能量： 25µJ（开），58µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 30 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 7.7ns/87ns

测试条件： 390V，7A，25 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 31 ns

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： D²PAK（TO-263）

温度： -55°C # 150°C（TJ）