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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC3601N ON(安森美) 授权代理品牌	MOS场效应管 FDC3601N SOT-23 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.970606 +15000：￥1.773497	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 153pF 50V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC3601N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.068458 +10：￥6.049676 +30：￥5.482519 +100：￥4.852344 +500：￥4.568766	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 153pF 50V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC3601N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.479633 +10：￥2.417121 +50：￥2.354609	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 153pF 50V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC3601N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+10：￥3.954447 +100：￥3.88962 +500：￥3.824793 +2000：￥3.759966	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 153pF 50V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC3601N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.270244 +6000：￥1.205666 +9000：￥1.11958 +30000：￥1.093748	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 153pF 50V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC3601N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥3.107354 +6000：￥2.949377 +9000：￥2.73879 +30000：￥2.675599	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 153pF 50V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC3601N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.29275 +10：￥7.877393 +100：￥5.477004 +500：￥4.276668 +1000：￥3.476061	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6
	FDC3601N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.29275 +10：￥7.877393 +100：￥5.477004 +500：￥4.276668 +1000：￥3.476061	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC3601N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6 下载数据手册未分类	+1：￥10.622963 +10：￥9.005004 +100：￥6.27572 +500：￥4.902905 +1000：￥3.987696	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC3601N onsemi(安森美) 授权代理品牌	MOSFET, DUAL, N, SMD, SSOT-6 下载数据手册未分类	+5：￥6.695867 +10：￥5.674052 +100：￥3.95501 +500：￥2.524477 +3000：￥2.127771	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDC3601N参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	500 毫欧 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	153pF 50V
功率 - 最大值:	700mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	SuperSOT™-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）