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FDMD85100_未分类
FDMD85100
授权代理品牌
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¥32.235447

+10:

¥28.290702

+30:

¥25.941339

+100:

¥22.510176

+500:

¥21.417449

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 N 通道(半桥)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9.9m옴 10.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 31nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2230pF 50V

功率 - 最大值: 2.2W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: Power56

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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FDMD85100_射频晶体管
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 N 通道(半桥)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9.9m옴 10.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 31nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2230pF 50V

功率 - 最大值: 2.2W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: Power56

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMD85100_射频晶体管
授权代理品牌
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¥44.061049

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-Power 5x6

FDMD85100_射频晶体管
授权代理品牌
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¥15.472014

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¥15.207818

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-Power 5x6

Mouser
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FDMD85100_晶体管
FDMD85100
授权代理品牌
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¥50.014176

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¥41.969939

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¥39.696566

+100:

¥33.925699

+250:

¥32.002077

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: Power-33-8

系列: FDMD85100

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 48 A

Rds On-漏源导通电阻: 18.7 mOhms, 18.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 22 nC, 21 nC

Pd-功率耗散: 50 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench Power Clip

商标: onsemi / Fairchild

配置: Dual

下降时间: 4.2 ns, 4.4 ns

正向跨导 - 最小值: 27 S, 26 S

高度: 0.8 mm

长度: 3.3 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 5 ns, 5.6 ns

晶体管类型: 2 N-Channel

典型关闭延迟时间: 19 ns, 18 ns

典型接通延迟时间: 14 ns, 12.5 ns

宽度: 3.3 mm

单位重量: 94.850 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

艾睿
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FDMD85100_未分类
FDMD85100
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 100V 10.4A 8-Pin PQFN EP T/R

未分类

+3000:

¥19.103869

+6000:

¥18.504199

+9000:

¥18.261473

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDMD85100参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 停产
FET 类型: 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9.9m옴 10.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 31nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2230pF 50V
功率 - 最大值: 2.2W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商器件封装: Power56
温度: -55°C # 150°C(TJ)