制造商型号： | FDMD85100 |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 100V |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) FDMD85100
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FDMD85100 中文资料
数据手册PDF
FDMD85100 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench Power Clip
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 48 A
漏源电阻 18.7 mOhms, 18.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 22 nC, 21 nC
耗散功率 50 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.2 ns, 4.4 ns
正向跨导（Min） 27 S, 26 S
上升时间 5 ns, 5.6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns, 18 ns
典型接通延迟时间 14 ns, 12.5 ns
外形参数
高度 0.8 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 94.850 mg
库存： 1000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
品牌其他型号
FDMD85100品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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