Packaging： Tube

Package / Case： TO-3P-3, SC-65-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Input Type： Standard

Reverse Recovery Time (trr)： 31.8 ns

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.1V @ 15V, 30A

Supplier Device Package： TO-3PN

IGBT Type： Trench Field Stop

Td (on/off) @ 25°C： 14.4ns/52.8ns

Switching Energy： 598µJ (on), 167µJ (off)

Test Condition： 400V, 30A, 6Ohm, 15V

Gate Charge： 54.7 nC

Current - Collector (Ic) (Max)： 60 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 650 V

Current - Collector Pulsed (Icm)： 90 A

Power - Max： 238 W

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-3PN

系列： FGA30T65SHD

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： Through Hole

集电极—发射极最大电压 VCEO： 650 V

集电极—射极饱和电压： 2.14 V

栅极/发射极最大电压： 30 V

在25 C的连续集电极电流： 60 A

Pd-功率耗散： 238 W

商标： onsemi / Fairchild

集电极最大连续电流 Ic： 60 A

栅极—射极漏泄电流： 400 nA

产品类型： IGBT Transistors

单位重量： 6.401 g

温度： - 55 C~+ 175 C