品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： NPT

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.67V 15V，40A

功率 - 最大值： 231 W

开关能量： 989µJ（开），310µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 306 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 32ns/271ns

测试条件： 400V，40A，6 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 89 ns

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3PN

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： NPT

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.67V 15V，40A

功率 - 最大值： 231 W

开关能量： 989µJ（开），310µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 306 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 32ns/271ns

测试条件： 400V，40A，6 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 89 ns

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3PN

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： NPT

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.67V 15V，40A

功率 - 最大值： 231 W

开关能量： 989µJ（开），310µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 306 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 32ns/271ns

测试条件： 400V，40A，6 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 89 ns

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3PN

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-3PN-3

系列： FGA40T65UQDF

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： Through Hole

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 650 V

集电极—射极饱和电压： 1.33 V

栅极/发射极最大电压： 20 V

在25 C的连续集电极电流： 80 A

Pd-功率耗散： 231 W

商标： onsemi / Fairchild

集电极最大连续电流 Ic： 80 A

栅极—射极漏泄电流： +/- 400 nA

产品类型： IGBT Transistors

单位重量： 6.401 g

温度： - 55 C~+ 175 C