锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
搜索 FDC6305N 共 9 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDC6305N_射频晶体管
FDC6305N
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6

下载数据手册

射频晶体管
+1：

￥4.097726

+10：

￥3.431163

+30：

￥3.092417

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.7A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 310pF 10V

功率 - 最大值： 700mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDC6305N_未分类
FDC6305N
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌
+5：

￥1.222652

+50：

￥1.087264

+150：

￥1.02924

+500：

￥0.956792

+3000：

￥0.747862

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
FDC6305N_未分类
FDC6305N
TECH PUBLIC(台舟电子)
授权代理品牌
+5：

￥1.175337

+50：

￥0.93308

+150：

￥0.829161

+500：

￥0.699564

+3000：

￥0.563519

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDC6305N_射频晶体管
FDC6305N
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6

下载数据手册

射频晶体管
+1：

￥0.94864

+100：

￥0.841918

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.7A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 310pF 10V

功率 - 最大值： 700mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDC6305N_射频晶体管
FDC6305N
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6

下载数据手册

射频晶体管
+1：

￥1.13184

+10：

￥0.86589

+30：

￥0.81702

+100：

￥0.768218

+500：

￥0.746483

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.7A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 310pF 10V

功率 - 最大值： 700mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDC6305N_射频晶体管
FDC6305N
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6

下载数据手册

射频晶体管
+3000：

￥3.142493

+6000：

￥3.009088

+9000：

￥2.934585

+15000：

￥2.825506

+21000：

￥2.733408

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.7A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 310pF 10V

功率 - 最大值： 700mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDC6305N_射频晶体管
FDC6305N
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6

下载数据手册

射频晶体管
+1：

￥14.074745

+10：

￥8.720222

+100：

￥5.669674

+500：

￥4.353991

+1000：

￥3.90972

库存： 0

货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

FDC6305N_射频晶体管
FDC6305N
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6

下载数据手册

射频晶体管
+1：

￥14.074745

+10：

￥8.720222

+100：

￥5.669674

+500：

￥4.353991

+1000：

￥3.90972

库存： 0

货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDC6305N_晶体管
FDC6305N
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6

下载数据手册

晶体管
+：

￥

+：

￥

+：

￥

+：

￥

+：

￥

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SSOT-6

系列： FDC6305N

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 20 V

Id-连续漏极电流： 2.7 A

Rds On-漏源导通电阻： 60 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 400 mV

Qg-栅极电荷： 5 nC

Pd-功率耗散： 900 mW

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

下降时间： 8.5 ns

正向跨导 - 最小值： 8 S

高度： 1.1 mm

长度： 2.9 mm

产品： MOSFET Small Signal

产品类型： MOSFET

上升时间： 8.5 ns

晶体管类型： 2 N-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 11 ns

典型接通延迟时间： 5 ns

宽度： 1.6 mm

零件号别名： FDC6305N_NL

单位重量： 36 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

FDC6305N参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道（双）
FET 功能: 标准
漏源电压（Vdss）: 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 80 毫欧 2.7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 310pF 10V
功率 - 最大值: 700mW
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装: SuperSOT™-6
温度: -55°C # 150°C（TJ）