制造商型号： | FDC6305N |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) FDC6305N
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FDC6305N 中文资料
数据手册PDF
FDC6305N 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.7 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 5 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8.5 ns
正向跨导（Min） 8 S
上升时间 8.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FDC6305N_NL
单位重量 36 mg
FDC6305N 引脚图与封装图
FDC6305N引脚图
FDC6305N封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 1.13184 | 1.13 |
| 10 | 0.86589 | 8.66 |
| 30 | 0.81702 | 24.51 |
| 100 | 0.768218 | 76.82 |
| 500 | 0.746483 | 373.24 |
品牌其他型号
FDC6305N品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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