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FGH40T65SQD-F155_晶体管-IGBT
FGH40T65SQD-F155
授权代理品牌

650V 40A FS4 TRENCH IGBT

晶体管-IGBT

+1:

¥43.64712

+10:

¥36.3726

+30:

¥29.09808

+90:

¥24.2484

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 160 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,40A

功率 - 最大值: 238 W

开关能量: 138µJ(开),52µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 80 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 16.4ns/86.4ns

测试条件: 400V,10A,6 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 31.8 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FGH40T65SQD-F155_未分类
FGH40T65SQD-F155
授权代理品牌

650V 40A FS4 TRENCH IGBT

未分类

+1:

¥23.047508

+200:

¥8.920219

+500:

¥8.606279

+1000:

¥8.454722

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 160 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,40A

功率 - 最大值: 238 W

开关能量: 138µJ(开),52µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 80 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 16.4ns/86.4ns

测试条件: 400V,10A,6 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 31.8 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FGH40T65SQD-F155_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3

晶体管-IGBT

+450:

¥12.996126

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 160 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,40A

功率 - 最大值: 238 W

开关能量: 138µJ(开),52µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 80 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 16.4ns/86.4ns

测试条件: 400V,10A,6 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 31.8 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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FGH40T65SQD-F155_晶体管-IGBT
授权代理品牌

650V 40A FS4 TRENCH IGBT

晶体管-IGBT

+450:

¥31.791968

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 160 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,40A

功率 - 最大值: 238 W

开关能量: 138µJ(开),52µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 80 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 16.4ns/86.4ns

测试条件: 400V,10A,6 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 31.8 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
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FGH40T65SQD-F155_晶体管-IGBT
FGH40T65SQD-F155
授权代理品牌

650V 40A FS4 TRENCH IGBT

晶体管-IGBT

+1:

¥69.77502

+10:

¥63.654405

+25:

¥55.260418

+100:

¥47.391054

+250:

¥45.992056

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 160 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,40A

功率 - 最大值: 238 W

开关能量: 138µJ(开),52µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 80 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 16.4ns/86.4ns

测试条件: 400V,10A,6 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 31.8 ns

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247-3

温度: -55°C # 175°C(TJ)

FGH40T65SQD-F155参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,40A
功率 - 最大值: 238 W
开关能量: 138µJ(开),52µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 80 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 16.4ns/86.4ns
测试条件: 400V,10A,6 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 31.8 ns
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247-3
温度: -55°C # 175°C(TJ)