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FDMD82100L_未分类
FDMD82100L
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP

未分类

+1:

¥10.337197

+200:

¥3.999381

+500:

¥3.868254

+1000:

¥3.791763

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 19.5 毫欧 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1585pF 50V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 12-PowerWDFN

供应商器件封装: 12-Power3.3x5

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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FDMD82100L_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 19.5 毫欧 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1585pF 50V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 12-PowerWDFN

供应商器件封装: 12-Power3.3x5

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMD82100L_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP

射频晶体管

+1:

¥36.552253

+10:

¥32.897028

+100:

¥26.442297

+500:

¥21.725355

+1000:

¥19.750259

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 12-PowerWDFN

供应商器件封装: 12-Power3.3x5

FDMD82100L_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 12-PowerWDFN

供应商器件封装: 12-Power3.3x5

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMD82100L_未分类
FDMD82100L
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP

未分类

+1:

¥35.198812

+10:

¥31.788075

+25:

¥30.69664

+100:

¥25.512317

+500:

¥21.010144

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMD82100L_未分类
FDMD82100L
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 12-Pin PQFN EP T/R

未分类

+3000:

¥15.281669

+6000:

¥15.150312

+9000:

¥14.626312

+12000:

¥14.479249

+15000:

¥14.335042

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDMD82100L参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 最后售卖
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 19.5 毫欧 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1585pF 50V
功率 - 最大值: 1W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 12-PowerWDFN
供应商器件封装: 12-Power3.3x5
温度: -55°C # 150°C(TJ)