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ON(安森美) FDMD82100L

ON(安森美) FDMD82100L
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

FDMD82100L

制造商:

ON (安森美)

产品类别:

射频晶体管

商品描述:

MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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FDMD82100L 中文资料

数据手册PDF

FDMD82100L 规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标名 PowerTrench Power Clip

商标 onsemi / Fairchild

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 24 A

漏源电阻 36 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 24 nC

耗散功率 38 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 2.9 ns

正向跨导(Min) 29 S

上升时间 2.8 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 21 ns

典型接通延迟时间 7.9 ns

外形参数

高度 0.8 mm

长度 5 mm

宽度 3.3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 82.320 mg

库存: 2098

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:咨询客服 总价:咨询客服
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
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