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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6321C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	MOSFET N + P Channel TSOP6 下载数据手册未分类	+1：￥1.009118 +10：￥0.971744 +100：￥0.882044 +500：￥0.837194	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6321C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+10：￥14.681656 +200：￥9.928534 +800：￥7.287951 +3000：￥5.281166 +6000：￥5.017144	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 680mA，460mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6321C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.49234 +200：￥0.964587 +500：￥0.930663 +1000：￥0.913858	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 680mA，460mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC6321C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N+P沟道 20V 4.2A 下载数据手册未分类	+1：￥1.473033 +10：￥1.173911 +30：￥1.045774	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDC6321C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6 下载数据手册未分类	+1：￥8.730889 +10：￥7.354053 +30：￥6.600071 +100：￥5.747744 +500：￥5.36529	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 680mA，460mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6321C 授权代理品牌	FDC6321C VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.81682 +100：￥0.796446 +3000：￥0.748752 +9000：￥0.714718	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDC6321C 授权代理品牌	FDC6321C TOOHONG/韩国太虹下载数据手册未分类	+100：￥1.782743	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDC6321C JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDC6321C JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥0.588652 +3000：￥0.541538 +9000：￥0.53216 +15000：￥0.518037 +27000：￥0.485045	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6321C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.30074 +6000：￥1.234561 +9000：￥1.146365 +30000：￥1.119918	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 680mA，460mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6321C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥3.181954 +6000：￥3.020064 +9000：￥2.804312 +30000：￥2.739616	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 680mA，460mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDC6321C参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	680mA，460mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	450 毫欧 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.3nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50pF 10V
功率 - 最大值:	700mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	SuperSOT™-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）