品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 60 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 90 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.2V 15V，30A

功率 - 最大值： 176 W

开关能量： 960µJ（开），162µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 37.4 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 12ns/42.4ns

测试条件： 400V，30A，6 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 81 ns

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3PN

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 60 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 90 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.2V 15V，30A

功率 - 最大值： 176 W

开关能量： 960µJ（开），162µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 37.4 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 12ns/42.4ns

测试条件： 400V，30A，6 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 81 ns

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3PN

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 60 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 90 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.2V 15V，30A

功率 - 最大值： 176 W

开关能量： 960µJ（开），162µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 37.4 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 12ns/42.4ns

测试条件： 400V，30A，6 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 81 ns

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3PN

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Packaging： Tube

Package / Case： TO-3P-3, SC-65-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Input Type： Standard

Reverse Recovery Time (trr)： 81 ns

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.2V @ 15V, 30A

Supplier Device Package： TO-3PN

IGBT Type： Trench Field Stop

Td (on/off) @ 25°C： 12ns/42.4ns

Switching Energy： 960µJ (on), 162µJ (off)

Test Condition： 400V, 30A, 6Ohm, 15V

Gate Charge： 37.4 nC

Current - Collector (Ic) (Max)： 60 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 650 V

Current - Collector Pulsed (Icm)： 90 A

Power - Max： 176 W

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-3PN-3

系列： FGA6530WDF

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： Through Hole

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 650 V

集电极—射极饱和电压： 1.8 V

栅极/发射极最大电压： 20 V

在25 C的连续集电极电流： 60 A

Pd-功率耗散： 176 W

商标： onsemi / Fairchild

集电极最大连续电流 Ic： 60 A

栅极—射极漏泄电流： +/- 400 nA

产品类型： IGBT Transistors

单位重量： 6.401 g

温度： - 55 C~+ 175 C