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搜索 FDG6321C 共 15 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG6321C ON(安森美) 授权代理品牌	MOS场效应管 FDG6321C SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥12.868713 +15000：￥11.581878	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA，410mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG6321C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V 500/410MA SC88 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.764599 +10：￥2.152672 +30：￥1.87949 +100：￥1.551672	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA，410mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDG6321C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDG6321C 下载数据手册未分类	+5：￥0.901609 +50：￥0.883032 +150：￥0.870685 +500：￥0.858337	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG6321C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V 500/410MA SC88 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥5.651062 +9000：￥5.556832 +15000：￥5.462716 +30000：￥5.368486	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA，410mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDG6321C JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDG6321C JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥0.802118 +3000：￥0.740417 +9000：￥0.709625 +15000：￥0.697238 +27000：￥0.666329	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG6321C VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： SC70-6 FET类型： N+P-Channel 栅极电压Vgs： ±20V 漏源极电压Vds： 20V/-20V 连续漏极电流Id： 3.28A/-2.8A Rds OnMax@Id,Vgs： 90mΩ@4.5V/155mΩ@-4.5V Pd-功率耗散Max： 1.1W

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG6321C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V 500/410MA SC88 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.102746 +6000：￥1.02082 +9000：￥0.978794 +15000：￥0.940396	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA，410mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG6321C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V 500/410MA SC88 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.697609 +6000：￥2.497196 +9000：￥2.394391 +15000：￥2.300457	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA，410mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDG6321C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V 500/410MA SC88 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.485154 +10：￥6.333635 +100：￥4.320334 +500：￥3.396297 +1000：￥3.091091	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SC-88 (SC-70-6)
	FDG6321C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 25V 500/410MA SC88 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.485154 +10：￥6.333635 +100：￥4.320334 +500：￥3.396297 +1000：￥3.091091	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SC-88 (SC-70-6)

FDG6321C参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	500mA，410mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	450 毫欧 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.3nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50pF 10V
功率 - 最大值:	300mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	SC-88（SC-70-6）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）