品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 沟道

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1250 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 40 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 60 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.5V 15V，20A

功率 - 最大值： 250 W

开关能量： 740µJ（开），500µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 153 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 10ns/400ns

测试条件： 600V，20A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3PN

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 沟道

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1250 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 40 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 60 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.5V 15V，20A

功率 - 最大值： 250 W

开关能量： 740µJ（开），500µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 153 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 10ns/400ns

测试条件： 600V，20A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3PN

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-3PN

系列： FGA20S125P

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： Through Hole

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 1250 V

集电极—射极饱和电压： 2 V

栅极/发射极最大电压： 25 V

在25 C的连续集电极电流： 40 A

Pd-功率耗散： 250 W

商标： onsemi / Fairchild

栅极—射极漏泄电流： 500 nA

产品类型： IGBT Transistors

零件号别名： FGA20S125P_SN00336

单位重量： 6.400 g

温度： - 55 C~+ 175 C