品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1100 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.6V 15V，50A

功率 - 最大值： 300 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： 195 nC

25°C 时 Td（开/关）值： -

测试条件： -

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3PN

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1100 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.6V 15V，50A

功率 - 最大值： 300 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： 195 nC

25°C 时 Td（开/关）值： -

测试条件： -

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3PN

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1100 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.6V 15V，50A

功率 - 最大值： 300 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： 195 nC

25°C 时 Td（开/关）值： -

测试条件： -

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3PN

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1100 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.6V 15V，50A

功率 - 最大值： 300 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： 195 nC

25°C 时 Td（开/关）值： -

测试条件： -

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3PN

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-3P-3, SC-65-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Input Type： Standard

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.6V @ 15V, 50A

Supplier Device Package： TO-3PN

IGBT Type： Trench Field Stop

Td (on/off) @ 25°C： -

Switching Energy： -

Test Condition： -

Gate Charge： 195 nC

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 50 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 1100 V

Current - Collector Pulsed (Icm)： 120 A

Power - Max： 300 W