锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 FPF2C8P2NL07A5 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FPF2C8P2NL07A_null
FPF2C8P2NL07A
授权代理品牌

IGBT MODULE 650V 30A 135W F2

+1:

¥432.815374

+200:

¥167.494897

+500:

¥161.606899

+1000:

¥158.700027

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: -

工作温度: -40°C # 150°C (TJ)

安装类型: Chassis Mount

封装/外壳: F2 Module

供应商器件封装: F2

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FPF2C8P2NL07A_晶体管IGBT
授权代理品牌

IGBT MODULE 650V 30A 135W F2

晶体管IGBT

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -40°C # 150°C (TJ)

安装类型: Chassis Mount

封装/外壳: F2 Module

供应商器件封装: F2

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FPF2C8P2NL07A_晶体管
FPF2C8P2NL07A
授权代理品牌

IGBT MODULE 650V 30A 135W F2

晶体管

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Tray

封装/外壳: F2

系列: FPF2C8P2NL07A

产品种类: IGBT 模块

产品: IGBT Silicon Modules

配置: 3-Phase

集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V

集电极—射极饱和电压: 2.13 V, 2.49 V

在25 C的连续集电极电流: 30 A, 50 A

栅极—射极漏泄电流: 2 uA, 2 uA

Pd-功率耗散: 135 W, 174 W

商标: onsemi / Fairchild

栅极/发射极最大电压: 20 V

安装风格: Through Hole

产品类型: IGBT Modules

技术: Si

商标名: STEALTH

单位重量: 45 g

温度: - 40 C~+ 150 C

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FPF2C8P2NL07A_未分类
FPF2C8P2NL07A
授权代理品牌

Trans IGBT Module N-CH 650V 50A 174000mW 34-Pin HPM Tray

未分类

+70:

¥1069.574014

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
FPF2C8P2NL07A_未分类
FPF2C8P2NL07A
授权代理品牌

Trans IGBT Module N-CH 650V 50A 174000mW 34-Pin HPM Tray

未分类

+70:

¥706.207836

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FPF2C8P2NL07A参数规格

属性 参数值
系列: -
工作温度: -40°C # 150°C (TJ)
安装类型: Chassis Mount
封装/外壳: F2 Module
供应商器件封装: F2