品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 220mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5pF 10V

功率 - 最大值： 300mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 220mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5pF 10V

功率 - 最大值： 300mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 220mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5pF 10V

功率 - 最大值： 300mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 220mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5pF 10V

功率 - 最大值： 300mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 220mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5pF 10V

功率 - 最大值： 300mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-323-6

系列： FDG6301N

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 25 V

Id-连续漏极电流： 220 mA

Rds On-漏源导通电阻： 4 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压： - 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 650 mV

Qg-栅极电荷： 400 pC

Pd-功率耗散： 300 mW

通道模式： Enhancement

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

下降时间： 4.5 ns

正向跨导 - 最小值： 0.2 S

高度： 1.1 mm

长度： 2 mm

产品： MOSFET Small Signal

产品类型： MOSFET

上升时间： 4.5 ns

晶体管类型： 2 N-Channel

类型： FET

典型关闭延迟时间： 4 ns

典型接通延迟时间： 5 ns

宽度： 1.25 mm

零件号别名： FDG6301N_NL

单位重量： 28 mg

温度： - 55 C~+ 150 C