品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.8A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.6nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465pF 15V

功率 - 最大值： 750mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-MLP，MicroFET（3x1.9）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.8A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.6nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465pF 15V

功率 - 最大值： 750mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-MLP，MicroFET（3x1.9）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.8A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.6nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465pF 15V

功率 - 最大值： 750mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-MLP，MicroFET（3x1.9）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： MicroFET-8

系列： FDMB3800N

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 4.8 A

Rds On-漏源导通电阻： 32 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V

Qg-栅极电荷： 5.6 nC

Pd-功率耗散： 1.6 W

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

下降时间： 5 ns

正向跨导 - 最小值： 14 S

高度： 0.8 mm

长度： 3 mm

产品： MOSFET Small Signal

产品类型： MOSFET

上升时间： 5 ns

晶体管类型： 2 N-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 21 ns

典型接通延迟时间： 8 ns

宽度： 1.9 mm

单位重量： 67 mg

温度： - 55 C~+ 150 C