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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDMB3800N_射频晶体管
FDMB3800N
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET

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射频晶体管
+1：

￥14.235408

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￥9.490272

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￥7.90856

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.8A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.6nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465pF 15V

功率 - 最大值： 750mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-MLP，MicroFET（3x1.9）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 现货库存
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FDMB3800N_null
FDMB3800N
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
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￥14.281942

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￥13.156433

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￥12.457088

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￥11.735888

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￥10.872634

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.8A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.6nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465pF 15V

功率 - 最大值： 750mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-MLP，MicroFET（3x1.9）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
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FDMB3800N
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MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET

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射频晶体管
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￥3.366357

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￥3.198011

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.8A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.6nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465pF 15V

功率 - 最大值： 750mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-MLP，MicroFET（3x1.9）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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FDMB3800N
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MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET

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射频晶体管
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￥7.856156

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￥7.337684

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.8A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.6nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 465pF 15V

功率 - 最大值： 750mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-MLP，MicroFET（3x1.9）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDMB3800N_射频晶体管
FDMB3800N
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MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET

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射频晶体管
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￥28.608448

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￥18.235973

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￥12.277156

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￥9.721671

+1000：

￥8.899829

库存： 0

货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-MLP, MicroFET (3x1.9)

FDMB3800N_射频晶体管
FDMB3800N
ON(安森美)
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MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET

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射频晶体管
+1：

￥28.608448

+10：

￥18.235973

+100：

￥12.277156

+500：

￥9.721671

+1000：

￥8.899829

库存： 0

货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-MLP, MicroFET (3x1.9)

Mouser
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FDMB3800N_晶体管
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晶体管
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￥24.045195

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￥16.748722

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￥11.873352

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￥9.767324

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￥9.021095

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： MicroFET-8

系列： FDMB3800N

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 4.8 A

Rds On-漏源导通电阻： 32 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V

Qg-栅极电荷： 5.6 nC

Pd-功率耗散： 1.6 W

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

下降时间： 5 ns

正向跨导 - 最小值： 14 S

高度： 0.8 mm

长度： 3 mm

产品： MOSFET Small Signal

产品类型： MOSFET

上升时间： 5 ns

晶体管类型： 2 N-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 21 ns

典型接通延迟时间： 8 ns

宽度： 1.9 mm

单位重量： 67 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿
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FDMB3800N_未分类
FDMB3800N
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-Pin WDFN EP T/R

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未分类
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￥6.41079

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￥6.346539

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￥6.28229

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￥6.219467

+15000：

￥6.158072

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货期：7~10 天

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FDMB3800N
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￥4.808862

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货期：7~10 天

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FDMB3800N
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￥5.516477

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￥4.955265

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￥4.905489

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货期：7~10 天

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FDMB3800N参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道（双）
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 40 毫欧 4.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 5.6nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 465pF 15V
功率 - 最大值: 750mW
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商器件封装: 8-MLP，MicroFET（3x1.9）
温度: -55°C # 150°C（TJ）