品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®, SyncFET™

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.3A，8.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 6.3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 610pF 10V

功率 - 最大值： 900mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： -55°C # 150°C（TJ）

封装/外壳： SOIC

FET类型： N-Channel

工作温度： -55°C~150°CTJ

栅极电压Vgs： 20V

漏源极电压Vds： 30V

连续漏极电流Id： 6.3A,8.6A

Rds OnMax@Id,Vgs： 28mΩ@6.3A,10V

Pd-功率耗散Max： 900mW

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®, SyncFET™

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.3A，8.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 6.3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 610pF 10V

功率 - 最大值： 900mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®, SyncFET™

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.3A，8.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 毫欧 6.3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 610pF 10V

功率 - 最大值： 900mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOIC-8

系列： FDS6982AS

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 6.3 A

Rds On-漏源导通电阻： 11 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V

Qg-栅极电荷： 30 nC, 15 nC

Pd-功率耗散： 2 W

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench SyncFET

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

下降时间： 3 ns

正向跨导 - 最小值： 32 S, 19 S

高度： 1.75 mm

长度： 4.9 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 7 ns

晶体管类型： 2 N-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 24 ns

典型接通延迟时间： 10 ns

宽度： 3.9 mm

零件号别名： FDS6982AS_NL

单位重量： 187 mg

温度： - 55 C~+ 150 C