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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FGPF30N30TDTU_晶体管-IGBT
FGPF30N30TDTU
授权代理品牌

IGBT 300V 44.6W TO220F

晶体管-IGBT

+300:

¥6.711447

+500:

¥6.680538

+1000:

¥6.64963

+5000:

¥6.556788

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: 沟道

电压 - 集射极击穿(最大值): 300 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): -

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 80 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.5V 15V,10A

功率 - 最大值: 44.6 W

开关能量: -

输入类型: 标准

栅极电荷: 65 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 22ns/130ns

测试条件: 200V,20A,20 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 22 ns

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-3 整包

供应商器件封装: TO-220F-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FGPF30N30TDTU_晶体管-IGBT

IGBT, 300V, N-CHANNEL, TO-220AB

晶体管-IGBT

+357:

¥11.452077

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3 Full Pack

供应商器件封装: TO-220F

FGPF30N30TDTU_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 300V 44.6W TO220F

晶体管-IGBT

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: 沟道

电压 - 集射极击穿(最大值): 300 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): -

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 80 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.5V 15V,10A

功率 - 最大值: 44.6 W

开关能量: -

输入类型: 标准

栅极电荷: 65 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 22ns/130ns

测试条件: 200V,20A,20 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 22 ns

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-3 整包

供应商器件封装: TO-220F-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FGPF30N30TDTU参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
IGBT 类型: 沟道
电压 - 集射极击穿(最大值): 300 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): -
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.5V 15V,10A
功率 - 最大值: 44.6 W
开关能量: -
输入类型: 标准
栅极电荷: 65 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 22ns/130ns
测试条件: 200V,20A,20 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 22 ns
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商器件封装: TO-220F-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)