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自营 现货库存
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FDMD8630_null
FDMD8630
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6

+1:

¥56.362859

+200:

¥21.810831

+500:

¥21.045922

+1000:

¥20.674395

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-Power 5x6

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMD8630_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6

射频晶体管

+3000:

¥37.531422

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-Power 5x6

Mouser
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FDMD8630_晶体管
FDMD8630
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: Power-56-8

系列:

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 167 A

Rds On-漏源导通电阻: 1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 142 nC

Pd-功率耗散: 43 W

通道模式: Enhancement

商标: onsemi

配置: Dual

下降时间: 24 ns

正向跨导 - 最小值: 281 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 15 ns

典型关闭延迟时间: 66 ns

典型接通延迟时间: 14 ns

单位重量: 98 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

FDMD8630参数规格

属性 参数值
系列: PowerTrench®
安装类型: Surface Mount
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商器件封装: 8-Power 5x6