品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Ta），70A（Tc），37A（Ta），164A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.25 毫欧 19A，10V，0.97 毫欧 37A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 320µA，3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V，117nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1410pF 15V，4860pF 15V

功率 - 最大值： 2.1W（Ta），26W（Tc），2.3W（Ta），42W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Ta），70A（Tc），37A（Ta），164A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.25 毫欧 19A，10V，0.97 毫欧 37A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 320µA，3V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33nC 10V，117nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1410pF 15V，4860pF 15V

功率 - 最大值： 2.1W（Ta），26W（Tc），2.3W（Ta），42W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： PowerClip56-8

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 19 A, 37 A

Rds On-漏源导通电阻： 1.2 mOhms, 4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 12 V, + 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 800 mV, 1 V

Qg-栅极电荷： 33 nC, 117 nC

Pd-功率耗散： 42 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Dual

产品类型： MOSFET

单位重量： 121.065 mg

温度： - 55 C~+ 150 C