Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3 Full Pack

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Input Type： Standard

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 1.88V @ 15V, 30A

Supplier Device Package： TO-220F-3

IGBT Type： Trench Field Stop

Td (on/off) @ 25°C： 11.2ns/40.8ns

Switching Energy： -

Test Condition： 400V, 30A, 5Ohm, 15V

Gate Charge： 40.3 nC

Part Status： Active

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 650 V

Current - Collector Pulsed (Icm)： 170 A

Power - Max： 30 W

品牌： onsemi

包装： 管件,散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 170 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.88V 15V，30A

功率 - 最大值： 30 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： 40.3 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 11.2ns/40.8ns

测试条件： 400V，30A，5 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3 整包

供应商器件封装： TO-220F-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220F

系列： FGPF4565

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： Through Hole

集电极—发射极最大电压 VCEO： 650 V

集电极—射极饱和电压： 1.88 V

栅极/发射极最大电压： 25 V

在25 C的连续集电极电流： 30 A

Pd-功率耗散： 30 W

商标： onsemi / Fairchild

集电极最大连续电流 Ic： 170 A

栅极—射极漏泄电流： 400 nA

产品类型： IGBT Transistors

单位重量： 2.270 g

温度： - 55 C~+ 150 C