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FGB30N6S2T参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Fairchild Semiconductor |
包装: | Bulk |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | Obsolete |
IGBT 类型: | - |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 600 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 45 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 108 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 2.5V 15V, 12A |
功率 - 最大值: | 167 W |
开关能量: | 55µJ (on), 110µJ (off) |
输入类型: | Standard |
栅极电荷: | 23 nC |
25°C 时 Td(开/关)值: | 6ns/40ns |
测试条件: | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
反向恢复时间 (trr): | - |
工作温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
安装类型: | Surface Mount |
封装/外壳: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装: | D2PAK (TO-263) |
温度: | -55°C # 150°C (TJ) |