品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A，17A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 19A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2605pF 15V

功率 - 最大值： 2.1W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 12-PowerWDFN

供应商器件封装： 12-Power3.3x5

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A，17A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 19A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2605pF 15V

功率 - 最大值： 2.1W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 12-PowerWDFN

供应商器件封装： 12-Power3.3x5

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A，17A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 19A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2605pF 15V

功率 - 最大值： 2.1W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 12-PowerWDFN

供应商器件封装： 12-Power3.3x5

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： PQFN-12

系列： FDMD8900

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 66 A, 42 A

Rds On-漏源导通电阻： 4 mOhms, 5.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2.5 V

Qg-栅极电荷： 25 nC, 19 nC

Pd-功率耗散： 27 W, 15 W

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench Power Clip

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

下降时间： 2.4 ns, 2.3 ns

正向跨导 - 最小值： 86 S, 80 S

高度： 0.8 mm

长度： 5 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 2.3 ns, 2 ns

晶体管类型： 2 N-Channel

典型关闭延迟时间： 25 ns, 22 ns

典型接通延迟时间： 8.7 ns, 7.1 ns

宽度： 3.3 mm

单位重量： 82.320 mg

温度： - 55 C~+ 150 C