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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS3660S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56 下载数据手册射频晶体管	+10：￥30.0672 +100：￥24.49224 +200：￥19.643904 +500：￥17.5392 +800：￥16.280208	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A，60A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1765pF 15V 功率 - 最大值： 1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	FDMS3660S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56 下载数据手册未分类	+1：￥11.175096 +10：￥9.841227 +30：￥9.011497 +100：￥8.160761 +500：￥7.782656	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A，60A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1765pF 15V 功率 - 最大值： 1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS3660S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.642183	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A，60A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1765pF 15V 功率 - 最大值： 1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDMS3660S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56 下载数据手册射频晶体管	+1：￥12.961811 +100：￥10.793232 +750：￥10.015193 +1500：￥9.518571 +3000：￥9.071613	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A，60A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1765pF 15V 功率 - 最大值： 1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMS3660S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56 下载数据手册射频晶体管	+200：￥9.436959 +3000：￥8.842635 +6000：￥8.697584	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A，60A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1765pF 15V 功率 - 最大值： 1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FDMS3660S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥6.555952 +6000：￥6.309477 +9000：￥6.100573	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A，60A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1765pF 15V 功率 - 最大值： 1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS3660S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥11.328664 +6000：￥10.902755 +9000：￥10.54177	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A，60A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 13A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1765pF 15V 功率 - 最大值： 1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMS3660S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56 下载数据手册射频晶体管	+1：￥25.170652 +10：￥20.871704 +100：￥16.61014 +500：￥14.054196 +1000：￥11.924908	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56
	FDMS3660S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56 下载数据手册射频晶体管	+1：￥25.170652 +10：￥20.871704 +100：￥16.61014 +500：￥14.054196 +1000：￥11.924908	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS3660S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56 下载数据手册未分类	+1：￥25.031712 +10：￥21.546283 +100：￥17.585569 +500：￥16.159712 +1000：￥14.892284	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： Power-56-8 系列： FDMS3660S 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 2 Channel Vds-漏源极击穿电压： 30 V Id-连续漏极电流： 13 A, 30 A Rds On-漏源导通电阻： 8 mOhms, 1.8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V, - 12 V, + 12 V Vgs th-栅源极阈值电压： 1.1 V Qg-栅极电荷： 29 nC, 87 nC Pd-功率耗散： 2.2 W, 2.5 W 通道模式： Enhancement 商标名： Power Stage PowerTrench 商标： onsemi / Fairchild 配置： Dual 高度： 1.1 mm 长度： 6 mm 产品类型： MOSFET 晶体管类型： 2 N-Channel 宽度： 5 mm 单位重量： 171 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

FDMS3660S参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	30A，60A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8 毫欧 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.7V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	29nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1765pF 15V
功率 - 最大值:	1W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-PowerTDFN
供应商器件封装:	Power56
温度:	-55°C # 150°C（TJ）