品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.3V 15V，40A

功率 - 最大值： 349 W

开关能量： 870µJ（开），260µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 119 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 12ns/92ns

测试条件： 400V，40A，6 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： D²PAK（TO-263）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.3V 15V，40A

功率 - 最大值： 349 W

开关能量： 870µJ（开），260µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 119 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 12ns/92ns

测试条件： 400V，40A，6 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： D²PAK（TO-263）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： 场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.3V 15V，40A

功率 - 最大值： 349 W

开关能量： 870µJ（开），260µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 119 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 12ns/92ns

测试条件： 400V，40A，6 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： D²PAK（TO-263）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Input Type： Standard

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.3V @ 15V, 40A

Supplier Device Package： D2PAK (TO-263)

IGBT Type： Field Stop

Td (on/off) @ 25°C： 12ns/92ns

Switching Energy： 870µJ (on), 260µJ (off)

Test Condition： 400V, 40A, 6Ohm, 15V

Gate Charge： 119 nC

Current - Collector (Ic) (Max)： 80 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 600 V

Current - Collector Pulsed (Icm)： 120 A

Power - Max： 349 W