品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

FET 类型： -

FET 功能： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

FET 类型： -

FET 功能： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

FET 类型： -

FET 功能： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

Packaging： Bulk

Package / Case： 8-PowerWDFN

Mounting Type： Surface Mount

Configuration： 2 N-Channel (Dual)

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max： 1.6W (Ta), 2W (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)： 25V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc)

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1240pF @13V, 4335pF @ 13V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 19nC @ 10V, 64nC @ 10V

FET Feature： -

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA

Supplier Device Package： Powerclip-33

Part Status： Obsolete

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： Power-33-8

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 25 V

Id-连续漏极电流： 12 A

Rds On-漏源导通电阻： 7.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2.2 V

Qg-栅极电荷： 19 nC, 60 nC

Pd-功率耗散： 1.6 W, 2 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

下降时间： 2 ns, 4 ns

正向跨导 - 最小值： 97 S, 231 S

高度： 0.8 mm

长度： 3.3 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 2 ns, 5 ns

晶体管类型： 2 N-Channel

典型关闭延迟时间： 20 ns, 38 ns

典型接通延迟时间： 7 ns, 13 ns

宽度： 3.3 mm

单位重量： 207.730 mg

温度： - 55 C~+ 150 C