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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDR8508P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.796143 +200：￥4.185144 +500：￥4.032163 +1000：￥3.966599	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： 2 P-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52mOhm 3A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 15V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-LSOP (0.130#, 3.30mm Width) 供应商器件封装： SuperSOT™-8 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDR8508P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： 2 P-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52mOhm 3A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 15V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-LSOP (0.130#, 3.30mm Width) 供应商器件封装： SuperSOT™-8 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDR8508P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： 2 P-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52mOhm 3A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 15V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-LSOP (0.130#, 3.30mm Width) 供应商器件封装： SuperSOT™-8 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	FDR8508P Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+182：￥16.292676	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： 2 P-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52mOhm 3A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 750pF 15V 功率 - 最大值： 800mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TSOP (0.130#, 3.30mm Width) 供应商器件封装： SuperSOT™-8 温度： -55°C # 150°C (TJ)

FDR8508P参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	Obsolete
FET 类型:	2 P-Channel (Dual)
FET 功能:	Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	52mOhm 3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	750pF 15V
功率 - 最大值:	800mW
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	8-LSOP (0.130#, 3.30mm Width)
供应商器件封装:	SuperSOT™-8
温度:	-55°C # 150°C (TJ)