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FCB260N65S3_晶体管-FET,MOSFET-单个
FCB260N65S3
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: SuperFET® III

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK (TO-263)

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FCB260N65S3
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MOSFET N-CH 650V 260MOHM D2PAK

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: SuperFET® III

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK (TO-263)

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系列: SuperFET® III

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK (TO-263)

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货期:7~10 天

系列: SuperFET® III

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Mouser
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FCB260N65S3_晶体管
FCB260N65S3
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MOSFET N-CH 650V 260MOHM D2PAK

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SC-70-3

系列: SuperFET3

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 12 A

Rds On-漏源导通电阻: 260 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Qg-栅极电荷: 24 nC

Pd-功率耗散: 90 W

通道模式: Enhancement

商标: onsemi

配置: Single

下降时间: 12 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 18 ns

晶体管类型: 1 N-Channel SuperFET III MOSFET

典型关闭延迟时间: 49 ns

典型接通延迟时间: 18 ns

单位重量: 1.485 g

温度: - 55 C~+ 150 C

艾睿
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FCB260N65S3_未分类
FCB260N65S3
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N Channel SuperFET III MOSFET

未分类

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货期:7~10 天

暂无参数

FCB260N65S3参数规格

属性 参数值
系列: SuperFET® III
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装: D²PAK (TO-263)