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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDG6332C_射频晶体管
FDG6332C
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

射频晶体管

+3000:

¥2.150352

+6000:

¥2.150352

+9000:

¥2.150352

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA,600mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 700mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 113pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDG6332C_未分类
FDG6332C
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

未分类

+1:

¥2.545836

+10:

¥2.145023

+30:

¥1.973246

+100:

¥1.758963

+500:

¥1.663458

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA,600mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 700mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 113pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDG6332C_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

射频晶体管

+1:

¥0.929764

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA,600mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 700mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 113pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDG6332C_未分类
FDG6332C
授权代理品牌

FDG6332C VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

+10:

¥0.833259

+30:

¥0.783828

+100:

¥0.769705

+500:

¥0.755582

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
FDG6332C_未分类
FDG6332C
授权代理品牌

FDG6332C VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

+10:

¥0.740417

+30:

¥0.696427

+100:

¥0.683925

+500:

¥0.671307

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
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FDG6332C
授权代理品牌

FDG6332C VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

+10:

¥0.740417

+30:

¥0.696427

+100:

¥0.683925

+500:

¥0.671307

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
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FDG6332C
授权代理品牌

FDG6332C VBSEMI/微碧半导体

未分类

+20:

¥0.826197

+100:

¥0.776767

+200:

¥0.769705

+3000:

¥0.755582

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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自营 国内现货
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FDG6332C_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

射频晶体管

+3000:

¥1.140789

+6000:

¥1.071645

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA,600mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 700mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 113pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDG6332C_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

射频晶体管

+3000:

¥1.97128

+6000:

¥1.851798

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA,600mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 700mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 113pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDG6332C_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

射频晶体管

+1:

¥6.919372

+10:

¥5.609633

+100:

¥3.822953

+500:

¥2.867339

+1000:

¥2.150442

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: SC-88 (SC-70-6)

FDG6332C参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA,600mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 700mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 113pF 10V
功率 - 最大值: 300mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)
温度: -55°C # 150°C(TJ)