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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA905P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET 下载数据手册未分类	+1：￥8.840161 +10：￥7.528889 +30：￥6.807689	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 10A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 6 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3405 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMA905P JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	P沟道 12V 16A 下载数据手册未分类	+1：￥2.261945 +10：￥1.988763 +30：￥1.868563 +100：￥1.726509 +500：￥1.431472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： P沟道漏源电压(Vdss)： 12V 连续漏极电流(Id)： 16A 功率(Pd)： 2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 12mΩ@4.5V,6.7A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 700mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)： 35nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)： 2.7nF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)： 590pF@10V 工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA905P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.838064	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 10A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 6 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3405 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA905P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.004443	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 10A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 6 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3405 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMA905P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥6.919663	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 10A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29 nC 6 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3405 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMA905P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.335872 +10：￥14.58391 +100：￥11.367637 +500：￥9.390997 +1000：￥7.413882	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2)
FDMA905P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.335872 +10：￥14.58391 +100：￥11.367637 +500：￥9.390997 +1000：￥7.413882	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA905P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET 下载数据手册未分类	+1：￥19.319772 +10：￥17.278951 +100：￥13.564656 +500：￥11.21091 +1000：￥8.952402	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA905P 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 12V 10A 6-Pin WDFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥5.53222	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	FDMA905P 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 12V 10A 6-Pin WDFN EP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥14.306975 +10：￥13.065386 +25：￥12.937782 +100：￥10.046273 +250：￥9.94419	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMA905P参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16 毫欧 10A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	29 nC 6 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3405 pF 6 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.4W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	6-MicroFET（2x2）
封装/外壳:	6-WDFN 裸露焊盘
温度:	-55°C # 150°C（TJ）