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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG6303N VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	双N沟道20 V（D-S）MOSFET VDS=20V ID=2.6A PD=2.7W SOT363 下载数据手册未分类	+1：￥1.009118 +10：￥0.971744 +100：￥0.882044 +500：￥0.837194	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDG6303N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88 下载数据手册射频晶体管	+5：￥0.811991 +20：￥0.737573 +100：￥0.663154 +270：￥0.5292	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG6303N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88 下载数据手册射频晶体管	+10：￥1.006599 +200：￥1.002364 +800：￥1.00188 +3000：￥0.726 +6000：￥0.6897	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG6303N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.806474	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG6303N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88 下载数据手册未分类	+1：￥8.43192 +10：￥7.227315 +30：￥6.32394 +100：￥5.32539 +500：￥5.059152	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDG6303N VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDG6303N VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.828963 +50：￥0.81463 +500：￥0.786066 +5000：￥0.76467 +30000：￥0.714605	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDG6303N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDG6303N VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDG6303N VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+200：￥0.914653 +500：￥0.878922 +1000：￥0.864694 +3000：￥0.850359 +10000：￥0.81463	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDG6303N JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDG6303N ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 下载数据手册未分类	+3000：￥1.357751	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG6303N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.731182 +6000：￥0.700811 +9000：￥0.630724 +30000：￥0.621379 +75000：￥0.584	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDG6303N参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	500mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	450 毫欧 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.3nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50pF 10V
功率 - 最大值:	300mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	SC-88（SC-70-6）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）