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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDI045N10A-F102 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥55.088759 +10：￥36.72592 +50：￥30.604893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5270 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 263W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I2PAK（TO-262）封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDI045N10A-F102 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5270 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 263W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I2PAK（TO-262）封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDI045N10A-F102 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥62.707728 +10：￥56.355516 +100：￥46.17569 +500：￥39.308244 +1000：￥33.151485	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 74 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5270 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 263W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I2PAK（TO-262）封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDI045N10A-F102 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥64.801402 +10：￥58.209051 +50：￥54.983008 +100：￥47.689344 +500：￥40.535942	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 50

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDI045N10A-F102 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube 下载数据手册未分类	+1000：￥26.170638 +2000：￥25.203215 +5000：￥24.838862	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDI045N10A-F102参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.5 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	74 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5270 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	263W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	I2PAK（TO-262）
封装/外壳:	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）