品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-220-3

系列： FDP10N60NZ

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 600 V

Id-连续漏极电流： 10 A

Rds On-漏源导通电阻： 640 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 5 V

Qg-栅极电荷： 23 nC

Pd-功率耗散： 185 W

通道模式： Enhancement

商标名： UniFET

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 50 nS

正向跨导 - 最小值： 14 S

高度： 16.3 mm

长度： 10.67 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 50 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 70 nS

典型接通延迟时间： 25 nS

宽度： 4.7 mm

单位重量： 2 g

温度： - 55 C~+ 150 C