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自营 现货库存
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FCU360N65S3R0_null
FCU360N65S3R0
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V IPAK
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￥5.962258

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￥2.312762

+500：

￥2.22789

+1000：

￥2.196063

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： *

工作温度： -

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-251-3 Stub Leads, IPak

供应商器件封装： I-PAK

自营 国内现货
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FCU360N65S3R0_晶体管-FET，MOSFET-单个
FCU360N65S3R0
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥15.572149

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￥7.929101

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￥7.252432

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￥6.277078

+1050：

￥5.8505

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： *

工作温度： -

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-251-3 Stub Leads, IPak

供应商器件封装： I-PAK

Digi-Key
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FCU360N65S3R0_晶体管-FET，MOSFET-单个
FCU360N65S3R0
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥38.093601

+75：

￥19.396682

+150：

￥17.741369

+525：

￥15.355394

+1050：

￥14.311874

库存： 0

货期：7~10 天

系列： *

工作温度： -

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-251-3 Stub Leads, IPak

供应商器件封装： I-PAK

Mouser
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FCU360N65S3R0_晶体管
FCU360N65S3R0
ON(安森美)
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MOSFET N-CH 600V IPAK

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晶体管
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： IPAK-3

系列： SuperFET3

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 650 V

Id-连续漏极电流： 10 A

Rds On-漏源导通电阻： 360 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2.5 V

Qg-栅极电荷： 18 nC

Pd-功率耗散： 83 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 10 ns

正向跨导 - 最小值： 6 S

产品类型： MOSFET

上升时间： 11 ns

典型关闭延迟时间： 34 ns

典型接通延迟时间： 12 ns

温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿
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FCU360N65S3R0_未分类
FCU360N65S3R0
ON Semiconductor
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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未分类
+1：

￥9.096272

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数
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FCU360N65S3R0_未分类
FCU360N65S3R0
APTINA IMAGING
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

未分类
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￥5.742671

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

FCU360N65S3R0参数规格

属性 参数值
系列: *
工作温度: -
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-251-3 Stub Leads, IPak
供应商器件封装: I-PAK