品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SuperFET® II

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 299 毫欧 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1948 pF 380 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： Power88

封装/外壳： 4-PowerTSFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SuperFET® II

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 299 毫欧 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1948 pF 380 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： Power88

封装/外壳： 4-PowerTSFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SuperFET® II

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 299 毫欧 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 51 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1948 pF 380 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： Power88

封装/外壳： 4-PowerTSFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 4-PowerTSFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 12A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 299mOhm @ 6A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 125W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 250µA

Supplier Device Package： Power88

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 51 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1948 pF @ 380 V

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 4-PowerTSFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 12A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 299mOhm @ 6A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 125W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 250µA

Supplier Device Package： Power88

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 51 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1948 pF @ 380 V

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： Power-88-4

系列： FCMT299N60

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 600 V

Id-连续漏极电流： 12 A

Rds On-漏源导通电阻： 299 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 3.5 V

Qg-栅极电荷： 39 nC

Pd-功率耗散： 125 W

通道模式： Enhancement

商标名： SuperFET II

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 7 ns

正向跨导 - 最小值： 12 S

高度： 1.1 mm

长度： 8 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 9 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 51 ns

典型接通延迟时间： 19 ns

宽度： 8 mm

单位重量： 449.030 mg

温度： - 55 C~+ 150 C