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自营 现货库存
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FQP11P06_晶体管-FET,MOSFET-单个
FQP11P06
授权代理品牌
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¥4.414617

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: QFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220-3

自营 国内现货
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FQP11P06_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: QFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220-3

Digi-Key
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FQP11P06_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: QFET®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-220-3

供应商器件封装: TO-220-3

FQP11P06_未分类
FQP11P06
授权代理品牌

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-220-3

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C # 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5.7A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 53W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-220-3

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±25V

Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

Mouser
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FQP11P06_未分类
FQP11P06
授权代理品牌

MOSFET P-CH 60V 11.4A TO220-3

未分类

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¥23.195828

+10:

¥19.112056

+100:

¥14.815927

+500:

¥12.561685

+1000:

¥10.209432

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Tube

標準包裝數量: 1000

FQP11P06参数规格

属性 参数值
系列: QFET®
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220-3