锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 FQB8N60CTM8 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQB8N60CTM_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥17.324494

+10:

¥15.213304

+30:

¥13.897788

+100:

¥12.783843

+500:

¥12.051822

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.2 欧姆 3.75A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1255 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.13W(Ta),147W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQB8N60CTM_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+800:

¥8.922308

+1600:

¥8.111158

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.2 欧姆 3.75A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1255 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.13W(Ta),147W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQB8N60CTM_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+800:

¥15.417718

+1600:

¥14.016053

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.2 欧姆 3.75A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1255 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.13W(Ta),147W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FQB8N60CTM_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥25.947642

+10:

¥23.352877

+100:

¥18.765088

库存: 0

货期:7~10 天

系列: QFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK (TO-263AB)

FQB8N60CTM_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥25.95053

+10:

¥19.095673

+30:

¥17.842789

+100:

¥16.575505

+500:

¥16.013868

库存: 0

货期:7~10 天

系列: QFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK (TO-263AB)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQB8N60CTM_晶体管
FQB8N60CTM
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK

晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SC-70-3

系列: FQB8N60C

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 7.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 36 nC

Pd-功率耗散: 3.13 W

通道模式: Enhancement

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 64.5 ns

正向跨导 - 最小值: 8.7 S

高度: 4.83 mm

长度: 10.67 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 60.5 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 81 ns

典型接通延迟时间: 16.5 ns

宽度: 9.65 mm

零件号别名: FQB8N60CTM_NL

单位重量: 4 g

温度: - 55 C~+ 150 C

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQB8N60CTM_未分类
FQB8N60CTM
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

未分类

+800:

¥11.614039

+1600:

¥11.058642

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
FQB8N60CTM_未分类
FQB8N60CTM
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

未分类

+1:

¥22.125832

+10:

¥21.997461

+25:

¥21.867504

+100:

¥21.73755

+250:

¥21.606007

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FQB8N60CTM参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: QFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.2 欧姆 3.75A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 36 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1255 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.13W(Ta),147W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 150°C(TJ)