锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 FDB861357 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDB86135_未分类
FDB86135
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V D2PAK

未分类

+1:

¥38.682536

+10:

¥33.929173

+30:

¥31.033447

+100:

¥28.607593

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.5 毫欧 75A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 116 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7295 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.4W(Ta),227W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDB86135_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥44.653063

+10:

¥40.115251

+100:

¥32.865838

+800:

¥27.978085

+1600:

¥23.595986

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.5 毫欧 75A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 116 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7295 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.4W(Ta),227W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDB86135_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+800:

¥54.149023

+1600:

¥51.895285

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.5 毫欧 75A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 116 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7295 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.4W(Ta),227W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

FDB86135_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥86.492143

+10:

¥77.632877

+100:

¥63.608792

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK (TO-263AB)

FDB86135_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥86.492166

+10:

¥77.632897

+25:

¥73.39478

+100:

¥63.60881

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK (TO-263AB)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDB86135_晶体管
FDB86135
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V D2PAK

晶体管

+:

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SC-70-3

系列: FDB86135

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 75 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 116 nC

Pd-功率耗散: 227 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

高度: 4.83 mm

长度: 10.67 mm

产品类型: MOSFET

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.65 mm

单位重量: 4 g

温度: - 55 C~+ 175 C

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDB86135_未分类
FDB86135
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

未分类

+800:

¥49.217188

+4000:

¥48.724146

+8000:

¥48.245605

+12000:

¥47.767064

+16000:

¥47.288523

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDB86135参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 75A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.5 毫欧 75A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 116 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7295 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.4W(Ta),227W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 175°C(TJ)