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FDD850N10L_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥18.154944

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¥13.451472

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¥10.383696

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¥8.817264

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¥7.9308

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15.7A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 75 毫欧 12A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 28.9 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1465 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 50W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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FDD850N10L_未分类
FDD850N10L
授权代理品牌

N-Channel ±20v 0.057Ω@ 25000mA TO-252 -55to +175 83W 100V

未分类

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¥2.762278

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¥2.714738

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¥2.619443

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¥2.548026

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¥2.45273

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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自营 国内现货
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FDD850N10L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥7.002981

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¥5.459124

+500:

¥4.509976

+1000:

¥3.560469

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15.7A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 75 毫欧 12A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 28.9 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1465 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 50W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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FDD850N10L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥5.866361

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¥5.572997

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15.7A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 75 毫欧 12A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 28.9 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1465 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 50W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

FDD850N10L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥13.862335

+10:

¥12.3634

+100:

¥9.637141

+500:

¥7.961489

+1000:

¥6.285386

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: DPAK

FDD850N10L_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥13.862335

+10:

¥12.3634

+100:

¥9.637141

+500:

¥7.961489

+1000:

¥6.285386

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: DPAK

FDD850N10L_未分类
FDD850N10L
授权代理品牌

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Fairchild Semiconductor

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: Active

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15.7A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 75mOhm 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 28.9 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1465 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 50W (Tc)

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

供应商器件封装: TO-252, (D-Pak)

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

温度: -55°C # 175°C (TJ)

Mouser
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FDD850N10L_未分类
FDD850N10L
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK

未分类

+1:

¥16.542058

+10:

¥14.821685

+100:

¥11.552974

+500:

¥9.541459

+1000:

¥7.529945

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: DPAK-3

系列: FDD850N10L

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 15.7 A

Rds On-漏源导通电阻: 64 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Qg-栅极电荷: 22.2 nC

Pd-功率耗散: 50 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

正向跨导 - 最小值: 31 S

高度: 2.39 mm

长度: 6.73 mm

产品类型: MOSFET

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 6.22 mm

单位重量: 330 mg

温度: - 55 C~+ 175 C

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDD850N10L_未分类
FDD850N10L
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

未分类

+2500:

¥5.312726

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDD850N10L参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 75 毫欧 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 28.9 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1465 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 50W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 175°C(TJ)