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FQD13N10LTM_晶体管-FET，MOSFET-单个
FQD13N10LTM
ON(安森美)
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国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180mOhm 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta), 40W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： TO-252AA

封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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FQD13N10LTM_晶体管-FET，MOSFET-单个
FQD13N10LTM
ON(安森美)
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库存： 1000 +

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品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180mOhm 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta), 40W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： TO-252AA

封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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FQD13N10LTM
UMW(友台半导体)
授权代理品牌
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FQD13N10LTM
TECH PUBLIC(台舟电子)
授权代理品牌
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FQD13N10LTM_晶体管-FET，MOSFET-单个
FQD13N10LTM
ON(安森美)
授权代理品牌
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180mOhm 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta), 40W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： TO-252AA

封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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FQD13N10LTM
UDU SEMICONDUTOR
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FQD13N10LTM UDU SEMICONDUTOR

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FQD13N10LTM
ON(安森美)
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￥4.081323

库存： 1000 +

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品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180mOhm 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta), 40W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： TO-252AA

封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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FQD13N10LTM
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FQD13N10LTM UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
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FQD13N10LTM
UMW(友台半导体)
授权代理品牌
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￥1.22112

库存： 1000 +

国内：1~2 天

封装/外壳： TO-252

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FQD13N10LTM_晶体管-FET，MOSFET-单个
FQD13N10LTM
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥3.339349

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￥2.900232

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货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180mOhm 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta), 40W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： TO-252AA

封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

温度： -55°C # 150°C (TJ)

FQD13N10LTM参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: QFET®
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 180mOhm 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 12 nC 5 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 520 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W (Ta), 40W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
温度: -55°C # 150°C (TJ)