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搜索 FDS5351 共 17 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS5351 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥4.130508 +10：￥3.485799 +30：￥3.157981 +100：￥2.84109 +500：￥2.644399	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 6.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS5351 TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	FDS5351 下载数据手册未分类	+5：￥1.988436 +50：￥1.621279 +150：￥1.463927 +500：￥1.145178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS5351 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS5351 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.715053 +300：￥1.643592 +8000：￥1.572132 +12000：￥1.543568 +24000：￥1.429211	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS5351 授权代理品牌	FDS5351 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.695111 +50：￥1.653436 +250：￥1.61072 +500：￥1.582589 +1000：￥1.539873	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS5351 授权代理品牌	FDS5351 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥0.958514 +1000：￥0.907463 +1500：￥0.857801	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS5351 TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	FDS5351 TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥1.015121 +9000：￥0.988149 +30000：￥0.970205	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS5351 授权代理品牌	FDS5351 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+7：￥1.883687 +30：￥1.820945 +100：￥1.742457 +4000：￥1.695342	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS5351 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 6.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS5351 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.212566 +5000：￥2.096142 +12500：￥1.940838 +25000：￥1.921683	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 6.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS5351 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.823307 +5000：￥3.622126 +12500：￥3.35376 +25000：￥3.320663	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 6.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1310 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDS5351参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	35 毫欧 6.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	27 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1310 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOIC
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）