锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
搜索 FDFMA2P029Z-F106 共 9 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDFMA2P029Z-F106_未分类
FDFMA2P029Z-F106
ON(安森美)
授权代理品牌

-20V -3.1A 95 O PCH ER T

未分类
+1：

￥8.097107

+200：

￥3.136126

+500：

￥3.026854

+1000：

￥2.972217

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： PowerTrench®

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad

供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDFMA2P029Z-F106_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDFMA2P029Z-F106
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥5.2515

+200：

￥2.03175

+500：

￥1.96425

+1000：

￥1.92375

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： PowerTrench®

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad

供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDFMA2P029Z-F106_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDFMA2P029Z-F106
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥12.84656

+200：

￥4.970199

+500：

￥4.805076

+1000：

￥4.706003

库存： 0

货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad

供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2)

FDFMA2P029Z-F106_未分类
FDFMA2P029Z-F106
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET

下载数据手册

未分类
+3000：

￥6.666903

+6000：

￥6.333557

+15000：

￥6.095532

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 6-VDFN Exposed Pad

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 95mOhm @ 3.1A, 4.5V

FET Feature： Schottky Diode (Isolated)

Power Dissipation (Max)： 1.4W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA

Supplier Device Package： 6-MicroFET (2x2)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.5V, 4.5V

Vgs (Max)： ±12V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 10 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 720 pF @ 10 V

FDFMA2P029Z-F106_未分类
FDFMA2P029Z-F106
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET

下载数据手册

未分类
+1667：

￥4.132379

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 6-VDFN Exposed Pad

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 95mOhm @ 3.1A, 4.5V

FET Feature： Schottky Diode (Isolated)

Power Dissipation (Max)： 1.4W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA

Supplier Device Package： 6-MicroFET (2x2)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.5V, 4.5V

Vgs (Max)： ±12V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 10 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 720 pF @ 10 V

FDFMA2P029Z-F106_未分类
FDFMA2P029Z-F106
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET

下载数据手册

未分类
+1：

￥15.703034

+10：

￥14.050083

+100：

￥10.952178

+500：

￥9.047978

+1000：

￥7.143228

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 6-VDFN Exposed Pad

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 95mOhm @ 3.1A, 4.5V

FET Feature： Schottky Diode (Isolated)

Power Dissipation (Max)： 1.4W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA

Supplier Device Package： 6-MicroFET (2x2)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.5V, 4.5V

Vgs (Max)： ±12V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 10 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 720 pF @ 10 V

FDFMA2P029Z-F106_未分类
FDFMA2P029Z-F106
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET

下载数据手册

未分类
+1：

￥15.703034

+10：

￥14.050083

+100：

￥10.952178

+500：

￥9.047978

+1000：

￥7.143228

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 6-VDFN Exposed Pad

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 95mOhm @ 3.1A, 4.5V

FET Feature： Schottky Diode (Isolated)

Power Dissipation (Max)： 1.4W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA

Supplier Device Package： 6-MicroFET (2x2)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.5V, 4.5V

Vgs (Max)： ±12V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 10 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 720 pF @ 10 V

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDFMA2P029Z-F106_晶体管
FDFMA2P029Z-F106
ON(安森美)
授权代理品牌

-20V -3.1A 95 O PCH ER T

下载数据手册

晶体管
+3000：

￥7.965485

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Reel

封装/外壳： MicroFET-6

系列： FDFMA2P029Z

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： P-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 20 V

Id-连续漏极电流： 3.1 A

Rds On-漏源导通电阻： 60 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.5 V

Qg-栅极电荷： 10 nC

Pd-功率耗散： 1.4 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 36 ns

正向跨导 - 最小值： - 11 S

产品类型： MOSFET

上升时间： 11 ns

晶体管类型： 1 P-Channel

典型关闭延迟时间： 37 ns

典型接通延迟时间： 13 ns

零件号别名： FDFMA2P029Z_F106

单位重量： 40 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDFMA2P029Z-F106_未分类
FDFMA2P029Z-F106
授权代理品牌
+3000：

￥9.524853

+6000：

￥9.429894

+9000：

￥9.334933

+12000：

￥9.24135

+15000：

￥9.149143

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

FDFMA2P029Z-F106参数规格

属性 参数值
系列: PowerTrench®
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 6-VDFN Exposed Pad
供应商器件封装: 6-MicroFET (2x2)