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FQA19N60_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 管件,管件

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 9.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 90 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3600 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 300W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-3PN

封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQA19N60_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥62.1955

+10:

¥55.848444

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件,管件

封装/外壳: *

系列: QFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 9.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 90 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3600 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 300W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-3PN

封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FQA19N60_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+450:

¥63.13849

库存: 0

货期:7~10 天

系列: QFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-3P-3, SC-65-3

供应商器件封装: TO-3PN

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FQA19N60_晶体管
FQA19N60
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 18.5A TO-3P

晶体管

+:

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Tube

封装/外壳: TO-3PN-3

系列: FQA19N60

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 18.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 380 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V

Qg-栅极电荷: 70 nC

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

商标名: QFET

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 135 ns

正向跨导 - 最小值: 16 S

高度: 20.1 mm

长度: 16.2 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 210 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 150 ns

典型接通延迟时间: 65 ns

宽度: 5 mm

零件号别名: FQA19N60_NL

单位重量: 4.600 g

温度: - 55 C~+ 150 C

FQA19N60参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件,管件
封装/外壳: *
系列: QFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 9.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 90 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3600 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 300W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-3PN
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)